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AM4435	文件：664.74 Kbytes Page：9 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET DESCRIPTION TheAM4435usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V. TheAM4435isavailableinSOP8Package FEATURES VDS=-30V,ID=-9.1A RDS(ON)	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AM4435A	文件：511.53 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODE DESCRIPTION AM4435AistheP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareusingtrenchDMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperior,fastswitchingperformance,andwithstandhighenergypulseintheavalan	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. AiT創瑞科技	AITSEMI
AO4435	文件：976.65 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelEnhancementModeMOSFET GeneralFeatures VDS=-30VID=-12A RDS(ON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台友台半导体	UMW
AO4435	文件：174.49 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO4435usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. -RoHSCompliant -AO4435isHalogenFree ProductSummary V	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4435	文件：2.09921 Mbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAO4435usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),andultra-lowlowgatechargewitha25Vgaterating.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. -RoHSCompliant -AO4435isHalogenFree ProductSummary	WHXPCBshenzhen wanhexing Electronics Co.,Ltd 万和兴电子深圳万和兴电子有限公司	WHXPCB
AO4435	文件：1.0027 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AO4435	文件：196.37 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AO4435	文件：1.12161 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-10.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AO4435-HF	文件：1.84015 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-30V ●ID=-10.5A(VGS=-20V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
AP4435D	文件：69.93 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4435GH-HF	文件：109 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4435GH-HF	文件：106.2 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,LowerOn-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4435GJ	文件：971.1 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4435GJ-HF	文件：106.19 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,LowerOn-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4435GJ-HF	文件：109 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4435GM	文件：1.00267 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4435GM	文件：202.58 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4435GM-HF	文件：208.18 Kbytes Page：5 Pages	SimpleDriveRequirement,LowOn-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4435GM-HF	文件：538.97 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AP4435GYT-HF	文件：101.03 Kbytes Page：4 Pages	SimpleDriveRequirement,SmallSize&LowerProfile	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER

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更多FDS4435BZ_NL供应商更新时间2024-6-11 14:08:00

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