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AP4435GJ

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:971.1 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

AP4435GJ-HF

Simple Drive Requirement, Lower On-resistance

文件:106.19 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4435GJ-HF

Fast Switching Characteristic

文件:109 Kbytes 页数:5 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4435GJ-HF_14

Simple Drive Requirement

文件:106.2 Kbytes 页数:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

AP4435GJ

Power MOSFETs

APEC

富鼎先进电子

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Type:

    P

  • VDS (V):

    -30

  • VGS (±V):

    20

  • RDS(ON) (mΩ max)/10V:

    20

  • RDS(ON) (mΩ max)/4.5V:

    36

  • Ciss (pF):

    1160/1970

  • Qg (nC):

    16.5/32

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更多AP4435GJ供应商 更新时间2025-10-7 16:00:00