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AP4435GM	文件：202.58 Kbytes Page：5 Pages	丝印：4435GM；Package：SO-8；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：202.58 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4435GM	文件：1.00267 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00267 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AP4435GM-HF	文件：538.97 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：538.97 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
AP4435GM-HF	文件：208.18 Kbytes Page：5 Pages	丝印：4435GM；Package：SO-8；Simple Drive Requirement, Low On-resistance 文件：208.18 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4435GM-HF_14	文件：208.18 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement 文件：208.18 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4435GM-HF_16	文件：103.34 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：103.34 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
AP4435GM	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs	APEC 富鼎先进电子	APEC

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更多AP4435GM供应商更新时间2025-10-13 17:22:00