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AP4435GM	文件：202.58 Kbytes Page：5 Pages	Marking：4435GM；Package：SO-8；P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4435GM	文件：1.00267 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AP4435GM-HF	文件：208.18 Kbytes Page：5 Pages	Marking：4435GM；Package：SO-8；Simple Drive Requirement, Low On-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4435GM-HF	文件：538.97 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AP4435GM-HF_14	文件：208.18 Kbytes Page：5 Pages	Simple Drive Requirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
AP4435GM-HF_16	文件：103.34 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER

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更多AP4435GM供应商更新时间2025-7-23 17:20:00