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AP4435GH-HF	文件：109 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4435GH-HF	文件：106.2 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement, Lower On-resistance	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4435GH-HF_14	文件：106.2 Kbytes Page：4 Pages	Simple Drive Requirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
AP4435GH-HF_16	文件：109 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
4435	文件：76.57 Kbytes Page：6 Pages	ARX4435TransceiverforMacairH009Specification GeneralDescription TheAeroflexLaboratoriesIncorporatedmodelARX4435andARX4435FParenewgenerationmonolithictransceiverswhichprovidescompliancewithMacairH009databusrequirements. ThemodelARX4435andARX4435FPperformthefront-endanalogfunctionofinputtingandoutputtin	AEROFLEX AEROFLEX	AEROFLEX
4435	文件：1.00935 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4435	文件：606.1 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET Plastic-EncapsulateMosfets FEATURES •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •VDS=-30V,ID=-8A •RDS(on)(m-ohm) 0.020@VGS=-10V,ID=-8A 0.030@VGS=-4.5V,ID=-5A APPLICATIONS •LoadSwitches •B	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰广东合科泰实业有限公司	HOTTECH
4435	文件：137.17 Kbytes Page：1 Pages	DELAYMODULES,TTL,SURFACEMOUNTED	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
4435A	文件：1.8467 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4435B	文件：3.42716 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description The4435Busesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS,lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas4.5V. GeneralFeatures ●VDS=-30V RDS	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
4435BZ	文件：288.78 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelPowerTrench짰MOSFET-30V,-8.8A,20m廓 GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench®processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
4435D	文件：69.93 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
4435GH	文件：109 Kbytes Page：5 Pages	FastSwitchingCharacteristic	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司	A-POWER
4435GM	文件：1.0031 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4435M	文件：1.00302 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4435S	文件：1.00297 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4435SC	文件：1.00292 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4435W	文件：1.00286 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4435WS	文件：1.00278 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
ACE4435B	文件：495.08 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	ACE ACE Technology Co., LTD.	ACE

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详细参数

型号：
AP4435GH-HF
制造商：
ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
功能描述：
MOSFET PCH -30V 20MOHM TO-252
功能描述：
MOSFET, PCH, -30V, 20MOHM, TO-252
功能描述：
MOSFET, PCH, -30V, 20MOHM, TO-252, Transistor
Polarity：
P Channel, Continuous Drain Current
Id：
-40A, Drain Source Voltage
Vds：
-30V, On Resistance
Rds(on)：
0.02ohm, Rds(on) Test Voltage
Vgs：
-10V, Power Dissipation
Pd：
44.6W, Operating , RoHS
Compliant：
Yes
制造商：
APEC(ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP)
Polarity：
P Channel, Continuous Dra

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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