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FDR856P	文件：223.77 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription SuperSOTTM-8P-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformanc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GBC856	文件：225.03 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GBC856	文件：227.28 Kbytes Page：2 Pages	TheGBC856isdesignedforswitchingandAFamplifierapplication,suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GI856	文件：70.43 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/95/ECandin accordancetoWEEE2002/96/EC TYPICALAPPLICATIONS Forusei	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GI856	文件：44.67 Kbytes Page：2 Pages	FASTSWITCHINGPLASTICRECTIFIER FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Highsurgecurrentcapability ♦Fastswitchingforhighefficiency ♦Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ♦Highforwardcurrentoperation ♦Hightemperaturesolderingguaranteed:2	GE GE Industrial Company	GE
GI856	文件：80.86 Kbytes Page：4 Pages	FastSwitchingPlasticRectifier FEATURES •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GM856	文件：362.69 Kbytes Page：3 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司	GSME
GSBC856	文件：156.86 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GSBC856	文件：159.54 Kbytes Page：2 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
H-856	文件：404.54 Kbytes Page：2 Pages	FeaturedProductsBulletin	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns

详细参数

型号：
FDR856P
功能描述：
MOSFET DISC BY MFG 2/02
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	FDR856P	FAIRCHILD	24+		60000		询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	FDR856P	NS	23+	原厂封装	9823		询价
深圳市永贝尔科技有限公司	FDR856P	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市百诺芯科技有限公司	FDR856P	FAIRCHILD/仙童	23+	SSOT-8	24190	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	FDR856P	FAIRCHILD	1709+	SOP8	45000	普通	询价
深圳市凯睿晟科技有限公司	FDR856P	FAIRCHILD/仙童	21+	SSOT-8	30000	优势供应实单必成可13点增值税	询价
深圳市胜彬电子有限公司	FDR856P	FAIRCILD	22+	SO-8	8000	原装正品支持实单	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	FDR856P	FAIRCHILD/仙童	22+	SSOT-8	18000	原装正品	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	FDR856PMOS(场效应管)	FAIRCHILD/仙童	25+	SSOT-8	54558	百分百原装现货实单必成欢迎询价	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	FDR858P	FAI	23+	MSOP/8	7000	绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!	询价

更多FDR856P供应商更新时间2025-7-23 16:30:00

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