FDMS86322中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，60A，7.65mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMS86322规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
• Shielded Gate MOSFET Technology
•VGS = 10 V，ID = 13 A时，最大rDS(on) = 7.65 mΩ
•VGS = 6 V，ID = 7.2 A时，最大rDS(on) = 12 mΩ
•先进的封装和硅技术完美融合，实现了低rDS(on)和高效率
•MSL1耐用封装设计
•100%经过UIL测试
•符合RoHS标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMS86322
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：60
- PD Max (W)
：104
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.65
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：22
- Ciss Typ (pF)
：2255
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
11000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FSC |
2016+ |
QFN8 |
2600 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
MLP5X6 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
DFN5x6 |
1450 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
DFN5*6 |
504705 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN |
1017 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
DFN5X6 |
7800 |
全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
DFN-8(5x6) |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
QFN |
14100 |
原装正品 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
18+ |
POWER56 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 |
