FDMC7664中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，18.8A，4.2mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC7664规格书详情
描述 Description
此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通电阻而定制的。 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。
特性 Features
•最大 rDS(on) = 4.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 18.8 A）
•最大 rDS(on) = 5.5 mΩ（VGS = 4.5 V, ID = 16.1 A）
•通态电阻 rDS(on)极低的高性能技术
•终端是符合 RoHS 标准的无铅产品
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC7664
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：30
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3
- ID Max (A)
：18.8
- PD Max (W)
：45
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：5.5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：4.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：14
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：25
- Ciss Typ (pF)
：3655
- Package Type
：WDFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
1284 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
QFN |
320 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2450+ |
QFN |
6540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
DFN33 |
504652 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
QFN8 |
33885 |
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FAIRCILD |
22+ |
QFN |
8000 |
原装正品支持实单 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
QFN |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
询价 | ||
ON/安森美 |
2223+ |
MLP3.3*3.3 |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
询价 |
