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FDMC008N08C中文资料N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，60A，7.8mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDMC008N08C规格书详情
描述 Description
N 沟道 MV MOSFET 采用安森美半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现通态电阻最小化，同时保持业界最佳的软体二极管
特性 Features
•屏蔽栅极 MOSFET 技术
• 最大值 rDS(on) = 7.8 mΩ（VGS = 10 V, ID = 21 A 时）
• 最大值 rDS(on) = 19.3 mΩ（VGS = 6 V, ID = 10 A 时）
• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
•降低了开关噪声/EMI
•MSL1 强健封装设计
•100% 经过 UIL 测试
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
技术参数
- 制造商编号
：FDMC008N08C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：4
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：60
- PD Max (W)
：57
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.8
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：58
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：13
- Ciss Typ (pF)
：1535
- Package Type
：PQFN-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
Power33 |
8330 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ON |
1847 |
PQFN-8 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
23+ |
PQFN-8 |
100 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
PQFN-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON |
24+ |
QFN |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON |
23+ |
QFN |
20000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
QFN |
36000 |
原装正品 |
询价 |
