N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，80V，60A，7.8mΩ

N 沟道 MV MOSFET 采用安森美半导体的先进 PowerTrench® 工艺制造而成，该工艺集成了栅极屏蔽技术。 该工艺已优化实现通态电阻最小化，同时保持业界最佳的软体二极管 •屏蔽栅极 MOSFET 技术\n• 最大值 rDS(on) = 7.8 mΩ（VGS = 10 V, ID = 21 A 时）\n• 最大值 rDS(on) = 19.3 mΩ（VGS = 6 V, ID = 10 A 时）\n• 比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%\n•降低了开关噪声/EMI\n•MSL1 强健封装设计\n•100% 经过 UIL 测试\n•符合 RoHS 标准;

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安森美半导体

N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET

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安森美半导体

MOSFET- Power, Single N-Channel 80 V, 8.8 m, 59 A

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MOSFET- Power, Single N-Channel 80 V, 8.8 m, 59 A

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MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 8.8 m, 59 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • LFPAK4 Package, Industry Standard • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

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