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FDD45AN06LA0	文件：299.51 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =45mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：299.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDD45AN06LA0	文件：228.08 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 22A, 45m 文件：228.08 Kbytes 页数：11 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDD45AN06LA0	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 22A, 45m	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDD5N60NZ	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市欧立现代科技有限公司	FAIRCHILD
FDD6685	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-252	FAIRCHILD 仙童半导体上传：深圳市创博伟业科技有限公司	FAIRCHILD

详细参数

型号：
FDD45AN06LA0
功能描述：
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDD45AN06LA0供应商更新时间2026-1-29 14:00:00

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