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FDP6030	文件：401.43 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6030BL	文件：401.43 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswith	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6030BL	文件：333.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP6030L	文件：473.58 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP6030L	文件：332.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=13.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDU6030BL	文件：74.47 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FH6030	文件：78.17 Kbytes Page：1 Pages	ActiveHeatSink	ALPHAC Alpha Company Ltd.	ALPHAC
FH6030MU	文件：78.17 Kbytes Page：1 Pages	ActiveHeatSink	ALPHAC Alpha Company Ltd.	ALPHAC
FS6030	文件：78.04 Kbytes Page：1 Pages	ActiveHeatSink	ALPHAC Alpha Company Ltd.	ALPHAC
FS6030PU	文件：78.04 Kbytes Page：1 Pages	ActiveHeatSink	ALPHAC Alpha Company Ltd.	ALPHAC

详细参数

型号：
FDD6030L_Q
功能描述：
MOSFET 30V N&P-Channel Power Trench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FDD6030L_Q供应商更新时间2025-5-20 16:46:00

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