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FS10R12YE3

IGBT 模块 N-CH 1.2KV 16A

Infineon

英飞凌

FS-1340

SMD-2

FUET/福声科技

上传:深圳市芯皇电子有限公司

FUET/福声科技

FS13MR12W2M1HB70BPSA1

Module

Infineon/英飞凌

上传:深圳市华睿芯科技有限公司

Infineon/英飞凌

FS150R12KE3

Module

Infineon Technologies

上传:深圳市华睿芯科技有限公司

Infineon Technologies

FS150R12KT3

IGBT

详细参数

  • 型号:

    FS10R12YE3

  • 功能描述:

    IGBT 模块 N-CH 1.2KV 16A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多FS10R12YE3供应商 更新时间2025-11-18 16:30:00