丝印：FDD5353；Package：TO-252；60V N-Channel MOSFET

Features RoHS Compliant VDSS = 60V ID(at VGS=10V)10.7A RDS(ON) (at VGS=10V)

文件：515.75 Kbytes 页数：6 Pages

UMW

友台半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =12.3mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

文件：299.52 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

文件：993.7 Kbytes 页数：4 Pages

BYCHIP

百域芯

N-Channel Power Trench짰 MOSFET 60V, 50A, 12.3m廓

文件：285.67 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，50A，12.3mΩ

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •VGS = 10V，ID = 10.7A时，最大rDS(on) = 12.3 mΩ \n•VGS = 4.5V，ID = 9.5A时，最大rDS(on) = 15.4 mΩ\n•100%经过UIL测试\n•符合RoHS标准;

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

Features ® Vos =60V,lo =50A | Roscn

文件：2.12481 Mbytes 页数：5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子