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FDAF62N28	文件：721.75 Kbytes Page：8 Pages	280V N-Channel MOSFET 文件：721.75 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FDAF62N28	文件：300 bytes Page：1 Pages	280V N-Channel MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDA62N28	文件：346.93 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 62A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 280V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 51mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：346.93 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDA62N28	文件：697.93 Kbytes Page：8 Pages	280V N-Channel MOSFET 文件：697.93 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

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