丝印：FDB075N15A；Package：D2-PAK；Channel Power Trench® MOSFET150V 110A, 7.5mΩ

Features -Typ rDS(on) = 5.5mΩ at VGS = 10V, ID = 80A -Typ Qg(tot) = 80nC at VGS = 10V, ID = 80A -UIS Capability -RoHS Compliant -Qualified to AEC Q101 Applications - Automotive Engine Control - Powertrain Management - Solenoid and Motor Drivers - Integrated Starter/alternator - Primar

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ONSEMI

安森美半导体

丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N-Channel Power Trench짰 MOSFET

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FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，130A，7.5mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 6.25mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 100A\n•快速开关\n•低栅极电荷，QG = 77nC（典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

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N 沟道PowerTrench® MOSFET 150V，110A，5.5mΩ

N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 110A, 5.5mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification. • 一般 rDS(on) = 5.5 mΩ（VGS=10V、ID=80A 时）\n•一般 Qg(tot) = 80nC（VGS = 10V、ID = 80A）\n•UIS 能力\n•符合 RoHS 标准\n•符合 AEC Q101 标准;

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