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FDB035AN06A0

N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.5m?

文件:236.38 Kbytes 页数:11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDB035AN06A0

丝印:D2PAK;Package:TO-263;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:318.23 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

FDB035AN06A0

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 60V,80 A,3.5 mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 80 A, 3.5 mΩ\nFairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification. •RDS(on) = 3.2mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 80A\n•QG(tot) = 95nC(典型值) @ VGS = 10V\n•低米勒电荷\n•低 Qrr 体二极管\n•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)\n•符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDB035AN06A0_12

N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 60V, 80A, 3.5m廓

文件:287.44 Kbytes 页数:11 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    80

  • PD Max (W):

    310

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    3.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    95

  • Ciss Typ (pF):

    6400

  • Package Type:

    D2PAK-3/TO-263-2

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更多FDB035AN06A0供应商 更新时间2026-1-21 17:44:00