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FDB024N08BL7	文件：681.39 Kbytes Page：9 Pages	Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance. Features • RDS(on) = 1.7 mΩ ( Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A • Low FOM RDS(on) 文件：681.39 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDB024N08BL7	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，229A，2.4mΩ 此 N 沟道 MOSFET 采用 Fairchild 先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 1.7mΩ ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 100A\n•低 FOM RDS(on) *QG\n•低反向恢复电荷，Qrr\n•反向恢复软体二极管\n•使能高效同步整流\n•快速开关速度\n•符合 RoHS 标准\n•符合 JEDEC 标准 JESD22-A113F 和IPC/JEDEC J-STD-020D.1;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB33N25TM	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	FAIRCHILD/仙童上传：深圳市吉铭电子科技有限公司	FAIRCHILD/仙童
FDB8443	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO263	Fairchild 仙童半导体上传：深圳市旺财半导体有限公司	Fairchild
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更多FDB024N08BL7供应商更新时间2025-12-9 18:59:00