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FDB050AN06A0

N 沟道 Power Trench® MOSFET 60V,80A,5mΩ

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 80 A, 5 mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification. •RDS(on) = 4.3mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 80A\n•QG(tot) = 61nC(典型值) @ VGS = 10V\n•低米勒电荷\n•低 Qrr 体二极管\n•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)\n•符合 AEC Q101 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FDB050AN06A0

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:564.02 Kbytes 页数:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDP050AN06A0

N-Channel PowerTrench MOSFET

文件:564.02 Kbytes 页数:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDB33N25TM

TO-263

FAIRCHILD/仙童

FDB8443

TO263

Fairchild

仙童半导体

上传:深圳市旺财半导体有限公司

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    4

  • ID Max (A):

    80

  • PD Max (W):

    245

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    61

  • Ciss Typ (pF):

    3900

  • Package Type:

    D2PAK-3/TO-263-2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
24+
D2PAK
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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更多FDB050AN06A0供应商 更新时间2025-12-1 9:12:00