N-Channel PowerTrench MOSFET

Description This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor®’s advanced PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance. Features • RDS(on) = 6.7 mΩ ( Typ.)@ VGS = 10 V, ID = 75 A • Fast Switching

文件：365.97 Kbytes 页数：9 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，150V，105A，8.2mΩ

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 6.7mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 75A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷，QG = 64.5nC（典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

FAIRCHILD/仙童
TO-263

FAIRCHILD/仙童

上传：深圳市吉铭电子科技有限公司

FAIRCHILD
TO263

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

上传：深圳市旺财半导体有限公司

ON
PSOF-8L

ON

上传：深圳市芯立阳电子技术有限公司