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FDB082N15A

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N-Channel PowerTrench MOSFET

Description ThisN-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sadvancedPowerTrench®processthathasbeentailoredtominimizetheon-stateresistancewhilemaintainingsuperiorswitchingperformance. Features •RDS(on)=6.7mΩ(Typ.)@VGS=10V,ID=75A •FastSwitching

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

详细参数

型号：
FDB082N15A
功能描述：
MOSFET 150V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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