首页>FDB082N15A>规格书详情

FDB082N15A数据手册ONSEMI中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

FDB082N15A

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,105A,8.2mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-6 20:00:00

人工找货

FDB082N15A价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FDB082N15A规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•RDS(on) = 6.7mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 75A
•快速开关速度
•低栅极电荷,QG = 64.5nC(典型值)
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 不间断电源
• 其他数据处理
• 电动自行车

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB082N15A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :DC: ±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :117

  • PD Max (W)

    :294

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :8.2

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :64.5

  • Ciss Typ (pF)

    :4645

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
3300
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-263
492
原装正品,假一罚十!
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
FAIRCHILD/仙童
20+
原装
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-263
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ON
1742
D2PAK
30
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ONSEMI/安森美
22+
TO-263
12500
原装正品支持实单
询价
ON
24+
D2PAK-3 / TO-263-2
25000
ON全系列可订货
询价
ON/安森美
21+
TO263
1600
询价