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FDB0300N1007L中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，200A，3mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB0300N1007L规格书详情
描述 Description
此 N-沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最小化工业应用的导通电阻并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大值 rDS(on) = 3 mΩ（VGS = 10 V、ID = 26 A）
• 最大值 rDS(on) = 4.5 mΩ（VGS = 6 V、ID = 20 A）
•快速开关速度
•低栅极电荷
• 高性能沟槽技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合RoHS标准
应用 Application
• Industrial Motor Drive
• Industrial Power Supplies
• Industrial Automation
• Battery Protection
• Uninterruptible Power Supplies
• Energy Inverters
• Energy Storage
• Load Switch
• Battery Opperated Tools
• Solar Inverters
技术参数
- 制造商编号
：FDB0300N1007L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：100
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：200
- PD Max (W)
：250
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：3
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：44
- Ciss Typ (pF)
：5925
- Package Type
：D2PAK-7/TO-263-7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
D2PAK-7 |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
8000 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
2022+ |
D2PAK-7 / TO-263-7 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
ONSEMI |
2025+ |
D2PAK |
55740 |
询价 | |||
ON(安森美) |
2021/2022+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
