FDB029N06中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，60V，193A，3.1mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB029N06规格书详情
描述 Description
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低导通阻抗并保持卓越开关性能而定制的。
特性 Features
•RDS(on) = 2.4mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 75A
•快速开关速度
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 其他数据处理
技术参数
- 制造商编号
：FDB029N06
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：4.5
- ID Max (A)
：193
- PD Max (W)
：231
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：3.1
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：116
- Ciss Typ (pF)
：7380
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
10+ |
TO-263 |
3000 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
询价 | ||
FSC |
25+23+ |
TO-263 |
28179 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-263 |
3000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
D2PAK |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
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询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
SMD |
7000 |
询价 |
