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FDB0250N807L数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDB0250N807L

功能描述

80 V N-沟道 PowerTrench® MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:28:00

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FDB0250N807L规格书详情

描述 Description

此 N-沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产,这一先进工艺是专为最小化工业应用的导通电阻并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。

特性 Features

• 最大值 rDS(on) = 2.2 mΩ(VGS = 10 V、ID = 30 A)
• 最大值 rDS(on) = 2.7 mΩ(VGS = 8 V、ID = 27 A)
•快速开关速度
•低栅极电荷
• 高性能沟槽技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合RoHS标准

应用 Application

• Industrial Motor Drive
• Industrial Power Supplies
• Industrial Automation
• Battery Protection
• Uninterruptible Power Supplies
• Energy Inverters
• Energy Storage
• Load Switch
• Battery Opperated Tools
• Solar Inverters

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB0250N807L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :80

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :240

  • PD Max (W)

    :214

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.2

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :143

  • Ciss Typ (pF)

    :11000

  • Package Type

    :D2PAK-7/TO-263-7

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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