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FDB0250N807L中文资料80 V N-沟道 PowerTrench® MOSFET数据手册ONSEMI规格书
FDB0250N807L规格书详情
描述 Description
此 N-沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最小化工业应用的导通电阻并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大值 rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 30 A）
• 最大值 rDS(on) = 2.7 mΩ（VGS = 8 V、ID = 27 A）
•快速开关速度
•低栅极电荷
• 高性能沟槽技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合RoHS标准
应用 Application
• Industrial Motor Drive
• Industrial Power Supplies
• Industrial Automation
• Battery Protection
• Uninterruptible Power Supplies
• Energy Inverters
• Energy Storage
• Load Switch
• Battery Opperated Tools
• Solar Inverters
技术参数
- 制造商编号
：FDB0250N807L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：240
- PD Max (W)
：214
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：2.2
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：143
- Ciss Typ (pF)
：11000
- Package Type
：D2PAK-7/TO-263-7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
FSC |
25+23+ |
TO-263 |
28179 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON/安森美 |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
ON |
2022+ |
D2PAK-7 / TO-263-7 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-263 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ON |
17+ |
TO-263-7 |
128 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
21+ |
TO-263-7 |
140 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ONSEMI |
2025+ |
55740 |
询价 |
