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FDB0190N807L数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDB0190N807L规格书详情
描述 Description
此 N-沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最小化工业应用的导通电阻并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大值 rDS(on) = 1.7 mΩ（VGS = 10 V、ID = 34 A）
• 最大值 rDS(on) = 2 mΩ（VGS = 8 V、ID = 31 A）
•快速开关速度
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合RoHS标准
应用 Application
• Industrial Motor Drive
• Industrial Power Supplies
• Industrial Automation
• Battery Protection
• Uninterruptible Power Supplies
• Energy Inverters
• Energy Storage
• Load Switch
• Battery Opperated Tools
• Solar Inverters
技术参数
- 制造商编号
：FDB0190N807L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：270
- PD Max (W)
：250
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1.7
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：178
- Ciss Typ (pF)
：13650
- Package Type
：D2PAK-7/TO-263-7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO263 |
7151 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON |
17+ |
TO-263-7 |
62 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ON |
24+ |
D2PAK-7 / TO-263-7 |
25000 |
ON全系列可订货 |
询价 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
21+ |
NA |
24800 |
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货! |
询价 | ||
FSC |
23+ |
原厂原封 |
18400 |
订货1周 原装正品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263-7 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-263-7 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 |
