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FDB0190N807L中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，80V，270A，1.7mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB0190N807L规格书详情
描述 Description
此 N-沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最小化工业应用的导通电阻并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大值 rDS(on) = 1.7 mΩ（VGS = 10 V、ID = 34 A）
• 最大值 rDS(on) = 2 mΩ（VGS = 8 V、ID = 31 A）
•快速开关速度
•低栅极电荷
•高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合RoHS标准
应用 Application
• Industrial Motor Drive
• Industrial Power Supplies
• Industrial Automation
• Battery Protection
• Uninterruptible Power Supplies
• Energy Inverters
• Energy Storage
• Load Switch
• Battery Opperated Tools
• Solar Inverters
技术参数
- 制造商编号
：FDB0190N807L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：80
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：270
- PD Max (W)
：250
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1.7
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：178
- Ciss Typ (pF)
：13650
- Package Type
：D2PAK-7/TO-263-7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
TO-263-7 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-263-7 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ONSEMI |
18+ROHS |
NA |
4400 |
全新原装!优势库存热卖中! |
询价 | ||
ON |
24+ |
TO263 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-263-7 |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-263-7 |
8080 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
一级代理 |
23+ |
N/A |
7000 |
询价 |
