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FDB0105N407L中文资料N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40 V，460A，0.8mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB0105N407L规格书详情
描述 Description
此 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆半导体先进的 PowerTrench® 工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低工业应用的导通阻抗并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。
特性 Features
• 最大 rDS(on) = 0.8 mΩ（VGS = 10 V、ID = 50 A）
• 最大 rDS(on) = 1.1 mΩ（VGS = 6 V、ID = 42 A）
• 快速开关速度
•低栅极电荷
• 高性能沟槽技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准
应用 Application
• Industrial Motor Drive
• Industrial Power Supplies
• Industrial Automation
• Battery Protection
• Uninterruptible Power Supplies
• Energy Inverters
• Energy Storage
• Load Switch
• Battery Opperated Tools
• Solar Inverters
技术参数
- 制造商编号
：FDB0105N407L
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：40
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：460
- PD Max (W)
：300
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：6.9
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：29
- Ciss Typ (pF)
：16500
- Package Type
：D2PAK-7/TO-263-7
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
22+ |
TO-263-7 |
12500 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
标准封装 |
8000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ON |
24+ |
T0-263-7 |
3200 |
原装原厂代理 可免费送样品 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
T0-263-7 |
23558 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
2023+ |
TO-263-7 |
8635 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO263-7 |
9240 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |
