首页>FDB0260N1007L>规格书详情

FDB0260N1007L中文资料N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,200A,2.6mΩ数据手册ONSEMI规格书

PDF无图
厂商型号

FDB0260N1007L

功能描述

N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V,200A,2.6mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-21 18:00:00

人工找货

FDB0260N1007L价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FDB0260N1007L规格书详情

描述 Description

此 N-沟道 MOSFET 采用飞兆先进的 PowerTrench® 工艺生产,这一先进工艺是专为最小化工业应用的导通电阻并保持卓越的耐用性和开关性能而定制的。

特性 Features

• 最大值 rDS(on) = 2.6 mΩ(VGS = 10 V、ID = 27 A)
• 快速开关速度
• 低栅极电荷
• 高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
• 符合RoHS标准

应用 Application

• Industrial Motor Drive
• Industrial Power Supplies
• Industrial Automation
• Battery Protection
• Uninterruptible Power Supplies
• Energy Inverters
• Energy Storage
• Load Switch
• Battery Opperated Tools
• Solar Inverters

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB0260N1007L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :200

  • PD Max (W)

    :250

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.6

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :84

  • Ciss Typ (pF)

    :6101

  • Package Type

    :D2PAK-7/TO-263-7

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
25+
25000
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!
询价
FSC
25+23+
TO-263
28179
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
onsemi(安森美)
24+
D2PAK-7
8357
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON
2022+
D2PAK-7 / TO-263-7
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
ON/安森美
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
ONSemiconductor
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
FAIRCHILD
20+
TO-263
38900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
ON
17+
TO-263-7
128
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ON
21+
TO-263-7
140
原装现货假一赔十
询价