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FDB050AN06A0中文资料N 沟道 Power Trench® MOSFET 60V，80A，5mΩ数据手册ONSEMI规格书
FDB050AN06A0规格书详情
描述 Description
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 80 A, 5 mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
特性 Features
•RDS(on) = 4.3mΩ （典型值） @ VGS = 10V, ID = 80A
•QG(tot) = 61nC（典型值） @ VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 Qrr 体二极管
•UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
•符合 AEC Q101 标准
应用 Application
• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 其他数据处理
• 其他工业
• 其他车用
技术参数
- 制造商编号
：FDB050AN06A0
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：60
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：80
- PD Max (W)
：245
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：5
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：61
- Ciss Typ (pF)
：3900
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
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询价 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
10+ |
TO-263 |
7 |
询价 | |||
ON/安森美 |
24+ |
TO-263 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
TO-263 |
880000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-263 |
30000 |
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FSC |
25+23+ |
TO-263 |
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FAIRCILD |
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TO-263 |
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ON/安森美 |
21+ |
D2-PAK |
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只做原装,质量保证 |
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FAIRCHILD |
24+ |
TO-263(D2PAK) |
8866 |
询价 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
D2PAK |
8357 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 |
