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FDB050AN06A0数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

FDB050AN06A0

功能描述

N 沟道 Power Trench® MOSFET 60V,80A,5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 18:28:00

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FDB050AN06A0规格书详情

描述 Description

N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 80 A, 5 mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.

特性 Features

•RDS(on) = 4.3mΩ (典型值) @ VGS = 10V, ID = 80A
•QG(tot) = 61nC(典型值) @ VGS = 10V
•低米勒电荷
•低 Qrr 体二极管
•UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
•符合 AEC Q101 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 其他数据处理
• 其他工业
• 其他车用

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB050AN06A0

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :80

  • PD Max (W)

    :245

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :61

  • Ciss Typ (pF)

    :3900

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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