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FDB075N15A_F085中文资料N 沟道PowerTrench® MOSFET 150V,110A,5.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
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描述 Description
N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 110A, 5.5mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
特性 Features
• 一般 rDS(on) = 5.5 mΩ(VGS=10V、ID=80A 时)
•一般 Qg(tot) = 80nC(VGS = 10V、ID = 80A)
•UIS 能力
•符合 RoHS 标准
•符合 AEC Q101 标准
技术参数
- 制造商编号
:FDB075N15A_F085
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- AEC Qualified
:A
- Halide free
:H
- PPAP Capablee
:P
- Status
:Active
- Channel Polarity
:N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
:150
- VGS Max (V)
:±20
- VGS(th) Max (V)
:4
- ID Max (A)
:110
- PD Max (W)
:333
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
:-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
:7.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
:-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
:80
- Ciss Typ (pF)
:5595
- Package Type
:D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
D2PAK |
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