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FDB075N15A_F085中文资料N 沟道PowerTrench® MOSFET 150V，110A，5.5mΩ数据手册ONSEMI规格书
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描述 Description
N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 110A, 5.5mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
特性 Features
• 一般 rDS(on) = 5.5 mΩ（VGS=10V、ID=80A 时）
•一般 Qg(tot) = 80nC（VGS = 10V、ID = 80A）
•UIS 能力
•符合 RoHS 标准
•符合 AEC Q101 标准
技术参数
- 制造商编号
：FDB075N15A_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：110
- PD Max (W)
：333
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：80
- Ciss Typ (pF)
：5595
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
TO-263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
0 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO263 |
2000 |
原装正品 |
询价 | ||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
ON SEMICONDUCTOR |
10 |
询价 | |||||
ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ON(安森美) |
25+ |
D2PAK |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 |
