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FDB075N15A_F085数据手册ONSEMI中文资料规格书
FDB075N15A_F085规格书详情
描述 Description
N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 110A, 5.5mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
特性 Features
• 一般 rDS(on) = 5.5 mΩ（VGS=10V、ID=80A 时）
•一般 Qg(tot) = 80nC（VGS = 10V、ID = 80A）
•UIS 能力
•符合 RoHS 标准
•符合 AEC Q101 标准
技术参数
- 制造商编号
：FDB075N15A_F085
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- V(BR)DSS Min (V)
：150
- VGS Max (V)
：±20
- VGS(th) Max (V)
：4
- ID Max (A)
：110
- PD Max (W)
：333
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：-
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：7.5
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：-
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：80
- Ciss Typ (pF)
：5595
- Package Type
：D2PAK-3/TO-263-2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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onsemi(安森美) |
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D2PAK |
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TO-2632L(D2PAK) |
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1983 |
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ONSEMI |
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