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FDB075N15A_F085中文资料N 沟道PowerTrench® MOSFET 150V,110A,5.5mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FDB075N15A_F085

功能描述

N 沟道PowerTrench® MOSFET 150V,110A,5.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-18 23:00:00

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FDB075N15A_F085规格书详情

描述 Description

N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 110A, 5.5mΩ, Fairchild’s latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.

特性 Features

• 一般 rDS(on) = 5.5 mΩ(VGS=10V、ID=80A 时)
•一般 Qg(tot) = 80nC(VGS = 10V、ID = 80A)
•UIS 能力
•符合 RoHS 标准
•符合 AEC Q101 标准

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB075N15A_F085

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :110

  • PD Max (W)

    :333

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :7.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :80

  • Ciss Typ (pF)

    :5595

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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