首页>FDB075N15A>规格书详情

FDB075N15A数据手册ONSEMI中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

FDB075N15A

功能描述

N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,130A,7.5mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-5 23:00:00

人工找货

FDB075N15A价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

FDB075N15A规格书详情

描述 Description

此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

特性 Features

•RDS(on) = 6.25mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 100A
•快速开关
•低栅极电荷,QG = 77nC(典型值)
•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)
•高功率和高电流处理能力
•符合 RoHS 标准

应用 Application

• AC-DC商用电源
• AC-DC商用电源-服务器和工作站
• AC-DC商用电源-台式计算机
• 不间断电源
• 其他数据处理
• 电动自行车

技术参数

  • 制造商编号

    :FDB075N15A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :150

  • VGS Max (V)

    :DC: ±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :130

  • PD Max (W)

    :333

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :7.5

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :77

  • Ciss Typ (pF)

    :5525

  • Package Type

    :D2PAK-3/TO-263-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
TO-263
8000
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
询价
ON/安森美
25+
TO-263
32360
ON/安森美全新特价FDB075N15A即刻询购立享优惠#长期有货
询价
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
询价
FAIRCHILDRCHILD
25+
SOT263
1800
原装正品,假一罚十!
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON(安森美)
2511
TO-263-2
5904
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
ON
24+
D2PAK-3 / TO-263-2
25000
ON全系列可订货
询价
FAIRCHILD
14+
TO263
30
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
ON
2024+
TO-263
500000
诚信服务,绝对原装原盘
询价
ON
2430+
TO263
8540
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价