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FDB110N15A	文件：242.89 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 150 V, 92 A, 11 m廓文件：242.89 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FDB110N15A	文件：524.59 Kbytes Page：8 Pages	NCP4306 Synchronous Rectification Evaluation Board Users Manual 文件：524.59 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FDB110N15A	文件：247.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：247.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
FDB110N15A	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V，92A，11mΩ 此 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体先进的 Power Trench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 •RDS(on) = 9.25mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 92A\n•快速开关速度\n•低栅极电荷，QG = 47nC（典型值）\n•高性能沟道技术可实现极低的 RDS(on)\n•高功率和高电流处理能力\n•符合 RoHS 标准;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
150
VGS Max (V)：
DC
VGS(th) Max (V)：
4
ID Max (A)：
92
PD Max (W)：
234
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
11
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
11
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
47
Ciss Typ (pF)：
3390
Package Type：
D2PAK-3/TO-263-2

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更多FDB110N15A供应商更新时间2025-11-19 18:28:00

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