首页 >FDB10AN06A0>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

FDB10AN06A0

N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 75A, 10.5m?

Features • rDS(ON) = 9.5mΩ (Typ.), VGS = 10V, ID = 75A • Qg(tot) = 28nC (Typ.), VGS = 10V • Low Miller Charge • Low Qrr Body Diode • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse) • Qualified to AEC Q101 Applications • Motor / Body Load Control • ABS Systems • Powertrain Management

文件:265.22 Kbytes 页数:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDB10AN06A0

N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 75A, 10.5mΩ

ONSEMI

安森美半导体

FDD10AN06A0

N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5m?

文件:236.88 Kbytes 页数:11 Pages

Fairchild

仙童半导体

FDD10AN06A0Q

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 60V, ID= 50A RDS(ON)

文件:1.091 Mbytes 页数:4 Pages

Bychip

百域芯

FDP10AN06A0

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID =75A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =10.5mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c

文件:354.18 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

详细参数

  • 型号:

    FDB10AN06A0

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
FAIRCHILD/仙童
2450+
TO-263
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
询价
FAIRCHILD
05+
原厂原装
5030
只做全新原装真实现货供应
询价
FAIRCHILD
24+
TO-263(D2PAK)
8866
询价
FSC
25+23+
TO-263
27284
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
FAIRCHIL
24+
TO-263
90000
一级代理商进口原装现货、价格合理
询价
FAIRCHILD
20+
TO-263(D2PAK)
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-263
30000
全新原装现货,价格优势
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
D2-PAKTO-263
24190
原装正品代理渠道价格优势
询价
FAIRCHILD/仙童
21+
D2-PAKTO-263
30000
优势供应 实单必成 可13点增值税
询价
FAIRCHILD/仙童
23+
TO-263(D2PAK)
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
更多FDB10AN06A0供应商 更新时间2025-12-11 9:22:00