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FDB2572	文件：269.7 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54m? Features •rDS(ON)=45mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=9A •Qg(tot)=26nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDB2572	文件：332.13 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=29A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=54mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2572	文件：92.08 Kbytes Page：2 Pages	BandpassFilter	KRKR Electronics, Inc. KR Electronics, Inc.
2572	文件：386.7 Kbytes Page：3 Pages	IECApplianceInletC8,insertMounting,Solder,PCBorQuick-connectTerminal Description Drop-intypeApplianceInlet,-Pintemperature70°C,ProtectionclassII	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团
2572	文件：388.41 Kbytes Page：5 Pages	IECApplianceInletC8,insertMounting,Solder,PCBorQuick-connectTerminal	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团
2572	文件：390.03 Kbytes Page：5 Pages	IECApplianceInletC8,insertMounting,Solder,PCBorQuick-connectTerminal	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团
2572	文件：390.79 Kbytes Page：5 Pages	IECApplianceInletC8,insertMounting,Solder,PCBorQuick-connectTerminal	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团
AK2572	文件：440.14 Kbytes Page：50 Pages	APCforBurstModeApplicableDirectModulationLaserDiode OUTLINES TheAK2572enablestokeeptheopticalpowerofthedirectmodulationLD(LaserDiode)constantbytheAPC(AutomaticPowerControl)circuit.Itconsistsofacurrentprogrammingfunction(APC_FF)respondingtothetemperaturecharacteristicsofeachLD,andaDigitalfeedbackfunction(	AKMAKM Semiconductor Inc. 旭化成微电子旭化成微电子株式会社
APL2572	文件：139.99 Kbytes Page：1 Pages	PLLModule	ASB Advanced Semiconductor Business Inc.
DW2572	文件：5.88919 Mbytes Page：24 Pages	CONTENTS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
FDD2572	文件：298.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=29A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=54mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDD2572	文件：247.74 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET150V,29A,54m? Features •rDS(ON)=45mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=9A •Qg(tot)=26nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDD2572-NL	文件：1.00464 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel150V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
FDMS2572	文件：156.36 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelUltraFETTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDMS2572	文件：513.24 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelUltraFETTrench짰MOSFET150V,27A,47m?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDP2572	文件：327.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
FDP2572	文件：666.21 Kbytes Page：34 Pages	STEREO200WCLASS-TDIGITALAUDIOAMPLIFIERDRIVERUSINGDIGITALPOWERPROCESSINGTECHNOLOGY GENERALDESCRIPTION TheTK2150(TC2001/TP2150chipset)isatwo-channel,200W(6Ω)perchannelAmplifierDriverthatusesTripath’sproprietaryDigitalPowerProcessing(DPP™)technology.Class-TamplifiersofferboththeaudiofidelityofClass-ABandthepowerefficiencyofClass-Damplifiers. F	TRIPATH TRIPATH
FDP2572	文件：269.7 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET150V,29A,54m? Features •rDS(ON)=45mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=9A •Qg(tot)=26nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDS2572	文件：273.85 Kbytes Page：12 Pages	150V,0.047Ohms,4.9A,N-ChannelUltraFETTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FDU2572	文件：247.74 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET150V,29A,54m? Features •rDS(ON)=45mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=9A •Qg(tot)=26nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQRRBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •DC/DCconvertersandOff-LineUPS •DistributedPowerArchitectures	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

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详细参数

型号：
FDB2572
功能描述：
MOSFET N-Channel UltraFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	FDB2572	onsemi	23+	D2PAK(TO-263)	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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更多FDB2572供应商更新时间2024-4-16 18:16:00

详细参数

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