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FDB10AN06A0	文件：265.22 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,75A,10.5m? Features •rDS(ON)=9.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=75A •Qg(tot)=28nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQrrBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •Motor/BodyLoadControl •ABSSystems •PowertrainManagement	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD10AN06A0	文件：236.88 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,50A,10.5m?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP10AN06A0	文件：265.22 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerTrenchMOSFET60V,75A,10.5m? Features •rDS(ON)=9.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=75A •Qg(tot)=28nC(Typ.),VGS=10V •LowMillerCharge •LowQrrBodyDiode •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse) •QualifiedtoAECQ101 Applications •Motor/BodyLoadControl •ABSSystems •PowertrainManagement	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP10AN06A0	文件：354.18 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
FDB10AN06A0_Q
功能描述：
MOSFET N-Channel PowerTrench
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FDB10AN06A0_Q供应商更新时间2024-5-1 16:08:00

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