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EMB12K03GP	文件：220.41 Kbytes Page：8 Pages	Dual Asymmetric N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N‐CH‐Q1 N‐CH‐Q2 BVDSS 30V 30V RDSON (MAX.) 15.5mΩ 12.5mΩ ID 9A 10A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：220.41 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12K03V	文件：207.84 Kbytes Page：8 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N‐CH‐Q1 N‐CH‐Q2 BVDSS 30V 30V RDSON (MAX.) 12mΩ 17mΩ ID 12A 10A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：207.84 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N03A	文件：222.01 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 12mΩ ID 25A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：222.01 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N03G	文件：191.82 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 12mΩ ID 12A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：191.82 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N03HR	文件：218.4 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 11.5mΩ ID 25A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：218.4 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N03V	文件：216.35 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 11.5mΩ ID 18.5A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：216.35 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N03VAT	文件：187.09 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 11.5mΩ ID 9A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：187.09 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N04A	文件：214.38 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 40V RDSON (MAX.) 12mΩ ID 30A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：214.38 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N04V	文件：197.8 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 40V RDSON (MAX.) 12.8mΩ ID 18A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：197.8 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12N10G	文件：184.23 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 12mΩ ID 12A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：184.23 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

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技术参数

Channel：
Single-N
BVDSS(V)：
30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
200
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
1.2
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
1.6
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
174
CissTyp.(pF)：
11245

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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