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EMB12P04A	文件：223.72 Kbytes Page：6 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐40V RDSON (MAX.) 12.6mΩ ID ‐25A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：223.72 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12P04A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-P Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
EMB12P04F	文件：198.82 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：198.82 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12P04H	文件：464.74 Kbytes Page：6 Pages	Single P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：464.74 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB12P04V	文件：178.94 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：178.94 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

技术参数

Channel：
Single P
BVDSS(V)：
-40
VGS(±V)：
20
ID(A)：
-25
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
12.6
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
23
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
50
CissTyp.(pF)：
3452

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	EMB12P04A	E	22+	TO-252	6000	十年配单,只做原装	询价
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深圳市南科功率半导体有限公司	EMB12P04A	NK/南科功率	2025+	TO-252	986966	国产	询价
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更多EMB12P04A供应商更新时间2025-10-6 14:04:00

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