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EMB12N10VS	文件：206.7 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)12mΩ ID32A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD12N10E	文件：229.6 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)11.5mΩ ID95A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD12N10H	文件：215.06 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
GLU12N10	文件：135.45 Kbytes Page：12 Pages	SURFCOILSMTINDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
GLX12N10	文件：135.45 Kbytes Page：12 Pages	SURFCOILSMTINDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
GLYC12N10	文件：135.45 Kbytes Page：12 Pages	SURFCOILSMTINDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
HLDD12N10	文件：919.72 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
HLDD12N10	文件：1.16377 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 汇利达广东汇利达半导体有限公司	HUILIDA
LMS12N10A	文件：1.93136 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MTM12N10	文件：261.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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