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CSD17581Q3A中文资料采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD17581Q3A规格书详情
描述 Description
这款采用 3.3mm × 3.3mm SON 封装的 30V、3.2mΩ、 NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。
特性 Features
• 低 Qg 和 Qgd
• 低 RDS(on)
• 低热阻抗
• 雪崩级
• 无铅
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
应用 Application
用于网络互联、电信和计算系统的负载点同步降压转换器
电机控制应用
针对控制场效应晶体管(FET)应用进行了优化
技术参数
- 制造商编号
：CSD17581Q3A
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：4.7
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
：3.8
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：154
- QG typ (nC)
：20
- QGD typ (nC)
：4
- Package (mm)
：SON3x3
- VGS (V)
：20
- VGSTH typ (V)
：1.3
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：101
- ID - package limited (A)
：60
- Logic level
：Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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