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CSD17571Q2中文资料采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书

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厂商型号

CSD17571Q2

功能描述

采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、29mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 0:17:00

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CSD17571Q2规格书详情

描述 Description

这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗,同时提供出色的封装散热性能。

特性 Features

• 低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩级
• 无铅引脚镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用 Application

针对负载开关应用进行了优化
存储、平板电脑和手持设备
针对控制场效应晶体管(FET)应用进行了优化

技术参数

  • 制造商编号

    :CSD17571Q2

  • 生产厂家

    :TI

  • Configuration

    :Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)

    :29

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)

    :24

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A)

    :39

  • QG typ (nC)

    :2.4

  • QGD typ (nC)

    :0.6

  • Package (mm)

    :SON2x2

  • VGS (V)

    :20

  • VGSTH typ (V)

    :1.6

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A)

    :7.6

  • ID - package limited (A)

    :22

  • Logic level

    :Yes

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