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CSD17484F4中文资料采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET数据手册TI规格书
CSD17484F4规格书详情
描述 Description
这款 99mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化，能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
特性 Features
• 低导通电阻
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低阈值电压
• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
• 1.0mm × 0.6mm
• 超薄
• 高度为 0.2mm
• 集成 ESD 保护二极管
• 额定值 > 4kV HBM
• 额定值 > 2kV CDM
• 无铅且无卤素
• 符合 RoHS 标准
技术参数
- 制造商编号
：CSD17484F4
- 生产厂家
：TI
- Configuration
：Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)
：128
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
：18
- QG typ (nC)
：0.92
- QGD typ (nC)
：0.075
- Package (mm)
：LGA 1.0x0.6mm
- VGS (V)
：12
- VGSTH typ (V)
：0.85
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
：3
- ID - package limited (A)
：3
- Logic level
：Yes
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