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CSD17484F4	文件：1.1408 Mbytes Page：13 Pages	CSD17484F4 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Low-threshold voltage • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.2-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 文件：1.1408 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17484F4	文件：588.7 Kbytes Page：13 Pages	30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：588.7 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17484F4	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、128mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 99mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化，能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。 • 低导通电阻\n• 超低 Qg 和 Qgd\n• 低阈值电压\n• 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸） \n• 1.0mm × 0.6mm\n \n• 超薄 \n• 高度为 0.2mm\n \n• 集成 ESD 保护二极管 \n• 额定值 > 4kV HBM\n• 额定值 > 2kV CDM\n \n• 无铅且无卤素\n• 符合 RoHS 标准;	TI 德州仪器	TI
CSD17484F4.B	文件：1.1408 Mbytes Page：13 Pages	CSD17484F4 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Low-threshold voltage • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.2-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 文件：1.1408 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17484F4T	文件：1.1408 Mbytes Page：13 Pages	CSD17484F4 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Low-threshold voltage • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.2-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 文件：1.1408 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17484F4T.B	文件：1.1408 Mbytes Page：13 Pages	CSD17484F4 30-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET 1 Features • Low on-resistance • Ultra-low Qg and Qgd • Low-threshold voltage • Ultra-small footprint (0402 Case Size) – 1.0 mm × 0.6 mm • Ultra-low profile – 0.2-mm height • Integrated ESD protection diode – Rated > 4-kV HBM – Rated > 2-kV CDM • Lead and halogen free • RoHS compliant 文件：1.1408 Mbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17484F4_15	文件：1.1005 Mbytes Page：15 Pages	CSD17484F4 30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：1.1005 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17484F4_16	文件：588.7 Kbytes Page：13 Pages	30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：588.7 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17484F4T	文件：588.7 Kbytes Page：13 Pages	30 V N-Channel FemtoFET MOSFET 文件：588.7 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
128
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
18
QG typ (nC)：
0.92
QGD typ (nC)：
0.075
Package (mm)：
LGA 1.0x0.6mm
VGS (V)：
12
VGSTH typ (V)：
0.85
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
3
ID - package limited (A)：
3
Logic level：
Yes

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