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CSD16322Q5	文件：287.47 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：287.47 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16322Q5C	文件：284.66 Kbytes Page：10 Pages	DualCool??N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：284.66 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16323Q3	文件：392.94 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：392.94 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16323Q3	文件：1.77564 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.77564 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CSD16323Q3C	文件：387.04 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：387.04 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16325Q5	文件：242.38 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：242.38 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16325Q5_10	文件：445.15 Kbytes Page：12 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications. 文件：445.15 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16325Q5C	文件：212.14 Kbytes Page：10 Pages	DualCool??N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：212.14 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16327Q3	文件：991.55 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：991.55 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16327Q3	文件：425.34 Kbytes Page：13 Pages	25-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：425.34 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
5.5
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
115
QG typ (nC)：
6.5
QGD typ (nC)：
1.2
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
0.85
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
21
ID - package limited (A)：
60
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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