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CSD16327Q3_16	文件：425.34 Kbytes Page：13 Pages	25-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：425.34 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16327Q3T	文件：425.34 Kbytes Page：13 Pages	25-V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：425.34 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16340Q3	文件：280.87 Kbytes Page：14 Pages	CSD16340Q3 25-V N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：280.87 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16340Q3	文件：241.89 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：241.89 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16340Q3_11	文件：392.49 Kbytes Page：11 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5V gate drive applications. 文件：392.49 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16340Q3_16	文件：280.87 Kbytes Page：14 Pages	CSD16340Q3 25-V N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：280.87 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16340Q3T	文件：280.87 Kbytes Page：14 Pages	CSD16340Q3 25-V N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：280.87 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16342Q5A	文件：2.53633 Mbytes Page：12 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：2.53633 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16401Q5	文件：361.09 Kbytes Page：13 Pages	25V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：361.09 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16401Q5	文件：332.14 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：332.14 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
5.5
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
115
QG typ (nC)：
6.5
QGD typ (nC)：
1.2
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
0.85
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
21
ID - package limited (A)：
60
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞卓芯科技有限公司	CSD16340Q3	TI/德州仪器	22+	SON8	93000	原装正品	询价
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