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CSD16340Q3T	文件：336.24 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD16340；Package：VSON-CLIP；CSD16340Q3 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Optimized for 5 V Gate Drive • Resistance Rated at VGS =2.5 V • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Point of Load Synchronous Buc 文件：336.24 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD16340Q3T.B	文件：336.24 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD16340；Package：VSON-CLIP；CSD16340Q3 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Optimized for 5 V Gate Drive • Resistance Rated at VGS =2.5 V • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Point of Load Synchronous Buc 文件：336.24 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD16340Q3	文件：336.24 Kbytes Page：13 Pages	CSD16340Q3 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Optimized for 5 V Gate Drive • Resistance Rated at VGS =2.5 V • Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package 2 Applications • Point of Load Synchronous Buc 文件：336.24 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
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