CSD16340Q3T.B中文资料德州仪器数据手册PDF规格书

厂商型号	CSD16340Q3T.B
功能描述	CSD16340Q3 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET
丝印标识	CSD16340
封装外壳	VSON-CLIP
文件大小	336.24 Kbytes
页面数量	13 页
生产厂商	Texas Instruments
企业简称	TI2【德州仪器】
中文名称	美国德州仪器公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-6-22 9:21:00
人工找货	CSD16340Q3T.B价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

1 Features

1• Optimized for 5 V Gate Drive

• Resistance Rated at VGS =2.5 V

• Ultra-Low Qg and Qgd

• Low Thermal Resistance

• Avalanche Rated

• Pb Free Terminal Plating

• RoHS Compliant

• Halogen Free

• SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package

2 Applications

• Point of Load Synchronous Buck Converter for

Applications in Networking, Telecom, and

Computing Systems

• Optimized for Control or Synchronous FET

Applications

3 Description

This 25 V, 3.8 mΩ, 3.3 × 3.3 mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in

power conversion and optimized for 5 V gate drive

applications.