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CSD17301Q5A	文件：359.61 Kbytes Page：9 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：359.61 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A	文件：509.88 Kbytes Page：11 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：509.88 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A	文件：509.88 Kbytes Page：11 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：509.88 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A	文件：1.12276 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：1.12276 Mbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
CSD17301Q5A_10	文件：509.88 Kbytes Page：11 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：509.88 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17301Q5A_101	文件：509.88 Kbytes Page：11 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：509.88 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17302Q5A	文件：359.04 Kbytes Page：9 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：359.04 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17302Q5A	文件：4.23872 Mbytes Page：35 Pages	Single-Phase, D-CAP and D-CAP2 Controller with 2-Bit Flexible VID Control 文件：4.23872 Mbytes 页数：35 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17302Q5A_10	文件：521.53 Kbytes Page：11 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications. 文件：521.53 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17303Q5	文件：1.55008 Mbytes Page：23 Pages	Using the TPS51916EVM-746 Complete DDR2, DDR3 文件：1.55008 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
5.5
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
115
QG typ (nC)：
6.5
QGD typ (nC)：
1.2
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
0.85
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
21
ID - package limited (A)：
60
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞卓芯科技有限公司	CSD16340Q3	TI/德州仪器	22+	SON8	93000	原装正品	询价
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蓝芯信息科技（深圳）有限公司	CSD16340Q3	TI/德州仪器	21+	VSON8	8026	原装正品值得信赖	询价
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