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|---|---|---|---|---|
30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：412.33 Kbytes 页数：13 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：412.33 Kbytes 页数：13 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
30V N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：520.659 Kbytes 页数：11 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
Using the TPS51916EVM-746 Complete DDR2, DDR3 文件：1.55008 Mbytes 页数：23 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：367.87 Kbytes 页数：10 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
30V N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：374.39 Kbytes 页数：10 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
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30V N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：373.6 Kbytes 页数：10 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
30V N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：522.39 Kbytes 页数：11 Pages | TI 德州仪器 | TI |
技术参数
- Configuration：
Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
5.5
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
115
- QG typ (nC)：
6.5
- QGD typ (nC)：
1.2
- Package (mm)：
SON3x3
- VGS (V)：
10
- VGSTH typ (V)：
0.85
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
21
- ID - package limited (A)：
60
- Logic level：
Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
22+ |
SON8 |
93000 |
原装正品 |
询价 | ||
TI |
2450+ |
SON8 |
6541 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 | ||
TI |
2016+ |
SON8 |
10000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
TI |
24+ |
SON8 |
5630 |
TI一级代理原厂授权渠道实单支持 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
SON8 |
18204 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
21+ |
VSON8 |
8026 |
原装正品 值得信赖 |
询价 | ||
TI |
20+ |
SON8 |
1837 |
全新原装公司现货
|
询价 | ||
TI/德州仪器 |
15+ |
SON8 |
1180 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
TI |
23+ |
(DQG)-8 |
30000 |
全新原装正品 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
2152+ |
SON-8 |
8000 |
原装正品现货假一罚十 |
询价 |
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