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CSD17303Q5	文件：369.7 Kbytes Page：9 Pages	30V N-Channel NexFET??Power MOSFET 文件：369.7 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17304Q3	文件：373.91 Kbytes Page：10 Pages	30V N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：373.91 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17304Q3_10	文件：532.3 Kbytes Page：11 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications. 文件：532.3 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17305Q5A	文件：358.82 Kbytes Page：10 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：358.82 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17305Q5A_10	文件：510.74 Kbytes Page：11 Pages	The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications, and optimized for 5V gate drive applications. 文件：510.74 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17306Q5A	文件：4.23872 Mbytes Page：35 Pages	Single-Phase, D-CAP and D-CAP2 Controller with 2-Bit Flexible VID Control 文件：4.23872 Mbytes 页数：35 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17306Q5A	文件：358.28 Kbytes Page：10 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：358.28 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17307Q5A	文件：355.8 Kbytes Page：10 Pages	30V, N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：355.8 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17308Q3	文件：412.33 Kbytes Page：13 Pages	30-V N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：412.33 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17308Q3	文件：523.35 Kbytes Page：11 Pages	30V N-Channel NexFET??Power MOSFETs 文件：523.35 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
5.5
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
115
QG typ (nC)：
6.5
QGD typ (nC)：
1.2
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
0.85
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
21
ID - package limited (A)：
60
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞卓芯科技有限公司	CSD16340Q3	TI/德州仪器	22+	SON8	93000	原装正品	询价
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