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CSD13302W_15	文件：1.07609 Mbytes Page：15 Pages	CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：1.07609 Mbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13302W_16	文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages	CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：492.58 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD13302WT	文件：492.58 Kbytes Page：12 Pages	CSD13302W 12 V N Channel NexFET??Power MOSFET 文件：492.58 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
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技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
5.5
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
115
QG typ (nC)：
6.5
QGD typ (nC)：
1.2
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
0.85
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
21
ID - package limited (A)：
60
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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