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CPD64	文件：209.87 Kbytes Page：2 Pages	Low Leakage Diode Low Leakage Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize17.5x17.5MILS DieThickness8.0MILS AnodeBondingPadArea8.0MILSDIAMETER TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-6,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD65	文件：211.1 Kbytes Page：2 Pages	Low Leakage Diode Picoampere Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize9.5X9.5MILS DieThickness7.5MILS AnodeBondingPadArea2.5MILSDIAMETER TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-13,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD65-BAV45	文件：545.73 Kbytes Page：4 Pages	The CPD65-BAV45 is a silicon 50mA, 35 Volt diode ideal for low leakage applications. TheCPD65-BAV45isasilicon50mA,35Voltdiodeidealforlowleakageapplications. MECHANICALSPECIFICATIONS: DieSize11.8x11.8MILS DieThickness8.0MILS AnodeBondingPadSize2.35MILSDIAMETER TopSideMetalizationAl–15,000Å BackSideMetalizationAu–18,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD66X	文件：728.97 Kbytes Page：2 Pages	Low Leakage Diode Low Leakage Diode Chip PROCESSDETAILS DieSize17.5x17.5MILS DieThickness5.9MILS AnodeBondingPadArea7.9MILSDIAMETER TopSideMetalizationAl-30,000Å BackSideMetalizationAu-As-13,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD69	文件：405.37 Kbytes Page：2 Pages	1 Amp Glass Passivated Rectifier Chip GeneralPurposeRectifier 1AmpGlassPassivatedRectifierChip PROCESSDETAILS ProcessGLASSPASSIVATEDMESA DieSize42.5x42.5MILS DieThickness12.5MILS AnodeBondingPadArea32x32MILS TopSideMetalizationNi/Au-5,000Å/2,000Å BackSideMetalizationNi/	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD71	文件：213.7 Kbytes Page：2 Pages	Low Leakage Diode Low Leakage Switching Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize11x11MILS DieThickness11MILS AnodeBondingPadArea3.3x3.3MILS TopSideMetalizationAl-15,000Å BackSideMetalizationAu-18,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD73	文件：222.57 Kbytes Page：2 Pages	Bridge Rectifier Monolithic Quad Diode Bridge Chip PROCESSDETAILS DieSize25x25MILS DieThickness6.0MILS BondingPadArea1(+DC)3.0x3.0MILS BondingPadArea2(AC)3.0x7.0MILS BondingPadArea3(-DC)3.0x4.0MILS BondingPadArea4(AC)3.0x7.0MILS TopSideMetalizationAl-12,000Å BackSideMe	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD74	文件：225.68 Kbytes Page：2 Pages	Switching Diode Monolithic Isolated Quad Switching Diode Chip PROCESSDETAILS DieSize25x25MILS DieThickness6.0MILS Anode1,2,3,4BondingPadArea3.5x4.0MILS Cathode1,2,3,4BondingPadArea3.5x4.0MILS TopSideMetalizationAl-12,000Å BackSideMetalizationAu-5,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD76V	文件：36.88 Kbytes Page：1 Pages	Schottky Diode 1.0A Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize32x32MILS DieThickness7.1MILS AnodeBondingPadArea26x26MILS TopSideMetalizationAl-20,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CPD76X	文件：408.69 Kbytes Page：2 Pages	1 Amp Schottky Diode Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize32x32MILS DieThickness5.9MILS AnodeBondingPadArea27x27MILS TopSideMetalizationAl-20,000Å BackSideMetalizationAu-12,000Å	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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技术参数

Case：
Chip_Packaging
Configuration/ Description：
Bare die 89.000 X 89.000
VRRM MAX：
600V
Io MAX：
3A
IFSM MAX：
200A
IR MAX：
5μA
@VR：
600V
VF MAX：
1.2V
@IF：
3A

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