The CPD65-BAV45 is a silicon 50mA, 35 Volt diode ideal for low leakage applications.

The CPD65-BAV45 is a silicon 50mA, 35 Volt diode ideal for low leakage applications. MECHANICAL SPECIFICATIONS: Die Size 11.8 x 11.8 MILS Die Thickness 8.0 MILS Anode Bonding Pad Size 2.35 MILS DIAMETER Top Side Metalization Al – 15,000Å Back Side Metalization Au – 18,000Å

文件：545.73 Kbytes 页数：4 Pages

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Chip Form: Picoampere Switching Diode

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Package：模具；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 35V 50MA CHIP

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Package：模具；包装：散装 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 20V 50MA DIE

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Package：模具；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 35V 50MA CHIP

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